|

Главная

Контакты

Словарь

 ► Развитие сварочного производства
 ► Сварные соединения и швы
 ► Сварочная дуга
 ► Металлургические процессы при дуговой сварке
 ► Источники питания дуги
 ► Сварочные материалы
 ► Технология ручной дуговой сварки покрытыми электродами
 ► Деформации и напряжения при сварке
 ► Сварки в защитных газах
 ► Сварки под флюсом
 ► Электрошлаковая сварка
 ► Особенности сварки различных видов
 ► Высокопроизводительные способы сварки
 ► Дуговая сварка углеродистых и легированных сталей
 ► Сварки чугунов
 ► Сварки цветных металлов и их сплавов
 ► Технология сварки тугоплавких и разнородных металлов
 ► Сварки пластмасс
 ► Дуговая наплавка и напыление
 ► Технология производства сварных конструкций
 ► Дуговая резка
 ► Качество сварочных работ. Сварные дефекты. Контроль качества
 ► Основы технического нормирования сварочных работ
 ► Охрана труда при сварке и резке
 ► Сварочное производство
 ► Сварка и пайка в микроэлектронике
 ► Другие методы сварки
 ► Сварка и пайка схем на печатных платах и микромодулей
 ► Сварка и пайка проводников с тонкими пленками в гибридных схемах
 ► Монтаж в корпусе и герметизация полупроводниковых приборов и микросхем
 ► Технологическое оборудование для сварки и пайки микроэлектронных схем









Общий вид керамического держателя (корпуса) для интегральных схем

Рис. 4.12. Общий вид керамического держателя (корпуса) для интегральных схем.

Для монтажа активных полупроводниковых приборов или интегральных схем к подложкам разработан мини­атюрный керамический держатель. Приборы, смонтиро­ванные на этих держателях, получили название—безвы­водной перевернутый прибор (LID). В боковых стенках держателя прорезаны канавки, так что держа­тель может иметь от 4 до 14 ножек (рис. 4.12). Основа­ние ножек и места, где устанавливается кристалл и при­соединяются вывода, покрываются марганцем, молибде­ном и затем золотятся. Размеры держателей с четырьмножками для маломощных транзисторов равны 1,9х XI,5Х0,76 мм или 1,9Х1,0Х0,76 мм.

Весьма перспективным направлением в области разработки бескорпусных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем является применение стеклянной защиты и твердых .выводов. Схематическое изображение транзистора с твердыми выводами и стеклянной защитой.

Разводка выполняется по слою окисла кремния алюминием, серебром или вольфрамом. Защита стеклом с толщиной слоя 1—5 мкм осуществляется распылением стеклянной массы с последующим остекловыванием. Выводы образуются выращиванием алюминиевых или серебряных столбиков, припайкой облуженных медных шариков на контактные площадки через вскрытые окна стеклянной защиты, или простым утолщенным лужением при окунаний в расплавленный припой.

Одним из наиболее развивающих способов герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем является герметизация в пластмассовые и керамико-пластмассовые корпусы. Герметизация производится с помощью сварки двух половинок корпуса из пластмассы или горячим прессованием корпуса из пластмассовых порошков или жидких смесей. В некоторых случаях керамическое основание и пластмассовая крышка корпуса соединяются с помощью легкоплавкого стекла или склеиваются. Пластмассовый корпус постепенно начал вытеснять металлостеклянные корпусы при производстве интегральных схем благодаря меньшей стоимости, практически одинаковой, а иногда и более высокой, надежности (герметичности) и возможности механизировать основные операции монтажа за счет использования технологического процесса монтажа на отрезках ленты.

Просмотров - 1986.

© 2013 svyatik.org - При использовании материала, должна быть ссылка на svyatik.org первоисточник.