|

Главная

Контакты

Словарь

 ► Развитие сварочного производства
 ► Сварные соединения и швы
 ► Сварочная дуга
 ► Металлургические процессы при дуговой сварке
 ► Источники питания дуги
 ► Сварочные материалы
 ► Технология ручной дуговой сварки покрытыми электродами
 ► Деформации и напряжения при сварке
 ► Сварки в защитных газах
 ► Сварки под флюсом
 ► Электрошлаковая сварка
 ► Особенности сварки различных видов
 ► Высокопроизводительные способы сварки
 ► Дуговая сварка углеродистых и легированных сталей
 ► Сварки чугунов
 ► Сварки цветных металлов и их сплавов
 ► Технология сварки тугоплавких и разнородных металлов
 ► Сварки пластмасс
 ► Дуговая наплавка и напыление
 ► Технология производства сварных конструкций
 ► Дуговая резка
 ► Качество сварочных работ. Сварные дефекты. Контроль качества
 ► Основы технического нормирования сварочных работ
 ► Охрана труда при сварке и резке
 ► Сварочное производство
 ► Сварка и пайка в микроэлектронике
 ► Другие методы сварки
 ► Сварка и пайка схем на печатных платах и микромодулей
 ► Сварка и пайка проводников с тонкими пленками в гибридных схемах
 ► Монтаж в корпусе и герметизация полупроводниковых приборов и микросхем
 ► Технологическое оборудование для сварки и пайки микроэлектронных схем









Прочность соединений золотой проволоки с алюминиевой

Рис. 4.2. Прочность соединений золотой проволоки с алюминиевой енкойпл на кремнии, полученных термокомпрессией непрерывно на­гретым инструментом (а) и сваркой давлением с косвенным им­пульсным нагревом (б):

  1. среднее усилие, разрушающее соединение;
  2. среднее усилие, разрываю­щее проволоку;
  3. результаты испытаний отдельных соединений:
  4. ре­зультаты испытаний сгруппированы с интервалом 0,5 Г.

Для некоторых видов интегральных схем, не допу­скающих длительного нагрева до высокой температуры, весьма перспективным является присоединение выводов сваркой давлением с косвенным импульсным нагревом с сопутствующим подогревом до 100—250° С схемы. Оценка характера распределения температур в кристалле кремния при сварке давлением с косвенным импульсным нагревом Vобразным электродом алюминиевых провод­ников диаметром 100 мкм показала, что тепловое воз­действие на кристалл при сварке этим методом является локальным. Так, при толщине кристалла 0,45 мм ирежиме, при котором температура в контакте составляет око­ло 600° С, к концу импульса зона радиусом 0,5 мм на­гревается только до 250° С.

Перепад температур по тол­щине пластины для кристалла толщиной 0,45 мм состав­ляет 150° С, для 0,75 мм— 360° С и для 1,0 мм— 390° С. Эти данные показывают, что методом импульсного на­грева можно соединять проводники с кристаллами крем­ния, которые припаяны к подложке легкоплавкими при­поями или приклеены.

При монтаже интегральных схем термокомпрессией или ультразвуковой сваркой методом “перевернутого кристалла” требуется обязательное создание алюминие­вых выступов на контактных площадках керамического корпуса. Для обеспечения надежного соединения всех контактных площадок интегральной схемы выступы кор­пуса должны иметь форму усеченной пирамиды высотой 15 мкм. При этом в процессе сварки происходит некото­рая деформация выступов, благодаря чему устраняется их разновысотность и обеспечивается достаточная надеж­ность сварных соединений.

Алюминиевые выступы созда­ются путем напыления через маску из паровой фазы. Для предотвращения спекания маски с выступами она изго­тавливается из металла, не схватывающегося с алюми­нием. При таком способе монтажа интегральную схему, имеющую 14 твердых алюминиевых выводов, мож­но присоединить к керамической подложке с помощью ультразвука всего за 5—10 сек (включая время на ори­ентацию схемы и совмещение ее с контактными площад­ками на подложке).

Защищенная стеклом интегральная схема может иметь контактные выступы из припоя. Такая схема мо­жет припаиваться непосредственно к медному .печатному монтажу или контактным площадкам корпуса путем лайки импульсным нагревом или в туннельной печи.

Преимуществами методов непосредственного присо­единения контактов полупроводниковых кристаллов к контактным площадкам тонкопленочных схем или кор­пусов являются:

отсутствие соединительных проводов и, следовательно, повышение надежности схемы;

уменьше­ние длины соединительных проводников, что особенно важно для высокочастотных схем;

повышение производи­тельности процесса монтажа, поскольку все контактные соединения кристалла со схемой выполняются за одну операцию;

лучшая защита активной поверхности кри­сталла.

Монтаж интегральных схем, имеющих “балочные” вы­воды в виде золотых полосок толщиной 20—30 мкм, шириной 100—200 мкм и длиной 0,5—1,0 мм (выводы создаются путем напыления на пластину кремния и по­следующего вытравливания), к подложке или в корпус производится термокомпрессией, сваркой давлением с косвенным импульсным нагревом или односторонней контактной сваркой.

Одним из перспективных способов присоединения внешних выводов в различных интегральных схемах яв­ляется непосредственная сварка с кремнием без пред­варительной металлизации поверхности или алюминированных плоских выводов с алюминиевыми контакт­ными    площадками.    Выводы,    присоединяемые к контактным площадкам, представляют никелевую фольгу толщиной 50 мкм, покрытую пленкой алюминия толщиной 1 мкм. Можно применять платину, медь, ковар.

Просмотров - 2072.

© 2013 svyatik.org - При использовании материала, должна быть ссылка на svyatik.org первоисточник.