|

Главная

Контакты

Словарь

 ► Развитие сварочного производства
 ► Сварные соединения и швы
 ► Сварочная дуга
 ► Металлургические процессы при дуговой сварке
 ► Источники питания дуги
 ► Сварочные материалы
 ► Технология ручной дуговой сварки покрытыми электродами
 ► Деформации и напряжения при сварке
 ► Сварки в защитных газах
 ► Сварки под флюсом
 ► Электрошлаковая сварка
 ► Особенности сварки различных видов
 ► Высокопроизводительные способы сварки
 ► Дуговая сварка углеродистых и легированных сталей
 ► Сварки чугунов
 ► Сварки цветных металлов и их сплавов
 ► Технология сварки тугоплавких и разнородных металлов
 ► Сварки пластмасс
 ► Дуговая наплавка и напыление
 ► Технология производства сварных конструкций
 ► Дуговая резка
 ► Качество сварочных работ. Сварные дефекты. Контроль качества
 ► Основы технического нормирования сварочных работ
 ► Охрана труда при сварке и резке
 ► Сварочное производство
 ► Сварка и пайка в микроэлектронике
 ► Другие методы сварки
 ► Сварка и пайка схем на печатных платах и микромодулей
 ► Сварка и пайка проводников с тонкими пленками в гибридных схемах
 ► Монтаж в корпусе и герметизация полупроводниковых приборов и микросхем
 ► Технологическое оборудование для сварки и пайки микроэлектронных схем









Монтаж приборов и микросхем в корпусе

Существует несколько способов выполнения соединений между контактными площадками полупроводникового прибора или микросхемы и внешними выводами корпуса:

  1. монтаж с помощью круглых проводников выполняется различными способами сварки (термокомпрессией, давлением с косвенным импульсным нагревом, односторонней контактной сваркой, ультразвуком);
  2. монтаж кристалла транзистора или интегральной схемы с жесткими выводами производится непосредственно на контактные площадки основания корпуса путем сварки перевернутого кристалла или приборов с балочными выводами;
  3. присоединение выводов корпуса непосредственно осуществляется к контактным площадкам кристалла.

Для обеспечения высокого качества соединений проводников с кристаллами полупроводниковых приборов важное значение имеют даже, казалось бы, самые незначительные причины. Так, плохое качество намотки проволоки на катушку механизма подачи может привести к ослаблению соединений из-за сильного натяжения проволоки в процессе ее присоединения к кристаллу. Частой причиной низкого качества соединений является разная высота или неодинаковый наклон кристаллов, смонтированных на металлических или керамических основаниях.

В этом случае соединение выполняется не всем торцом рабочего инструмента, а лишь его частью, поэтому площадь соединения будет меньше и может произойти чрезмерное уменьшение сечения присоединяемой проволоки или разрушение поверхности кристалла.

Наиболее распространенным методом монтажа приборов в корпусе проволочными выводами пока остается термокомпрессия. При непосредственном соединении проволоки с чистым кремнием и германием образуется относительно небольшая площадь эффективного контакта, что увеличивает переходное сопротивление соединения. Поэтому практически во всех типах современных планарных полупроводниковых приборах и интегральных схемах проволочные выводы присоединяются к напыленным контактным площадкам. В планарных приборах контактные площадки наносятся на защитный слой окиси кремния.

Элементы, подлежащие сварке, должны пройти следующую подготовку поверхности:

  1. поверхность полупроводникового кристалла, металлизированная золотом или алюминием, обезжиривается в спирте;
  2. золотая проволока обезжиривается в спирте, отжигается (600° С, 5 мин) и окончательно обезжиривается в спирте;
  3. алюминиевая проволока обезжиривается в кипящем четыреххлористом углероде, просушивается в термостате при 70—80° С до удаления растворителя, затем протравливается в насыщенном растворе едкого натра, промывается в дистиллированной воде, обезвоживается ацетоном и вновь просушивается в термостате.

Просмотров - 1980.

© 2013 svyatik.org - При использовании материала, должна быть ссылка на svyatik.org первоисточник.